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定向碳纳米管（A-CNT）薄膜有望成为构建性能优于传统晶体管的场效应晶体管（FET）的理想通道材料，自制并且开发了多种方法来制造具有高半导体纯度、自制良好定向、和高密度。顶栅A-CNTFET中的载流子迁移率达到最大值1850cm2V-1s-1，诺开这接近于化学气相沉积生长的单个CNT，并在A-CNT薄膜中创下记录。
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2.（AdvancedFunctionalMaterials）：简单基于取向碳纳米管薄膜的增强型场效应晶体管和高速集成电路[2]半导体碳纳米管(CNT)具有较高的室温载流子迁移率和原子厚度，简单被认为是构建未来电子产品的高性能和极限尺寸场效应晶体管(FET)的理想通道材料。
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